特許
J-GLOBAL ID:200903084673638176
光送信モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
和泉 良彦
, 小林 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-055212
公開番号(公開出願番号):特開2004-264628
出願日: 2003年03月03日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】従来の光送信機はレーザ、光変調器、ドライバ回路等にモジュール化された各要素を高周波ケーブルおよびコネクタを経由して接続し構成する方法が採られていた。一方、通信系で使用する周波数も急速に高周波化されてきている。上記構成では100Gbit/s程度以上の周波数では使用可能な高周波ケーブル、コネクタ類が無く構成上の隘路となっていた。このため、100Gbit/s程度以上の周波数でも低損失で動作する光送信機の実現が課題となっていた。【解決手段】半絶縁性基板上に半導体レーザ、光変調器、この光変調器のドライバ回路を構成する構造とした。これによりドライバ回路から終端抵抗に至るまで同一インピーダンスで揃えることが出来、余分な電力損失を無くした。また半導体レーザ系と、光変調器系とのグラウンド配線を互いに絶縁的に形成することにより、光変調器の動作点を容易に調整可能となった。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体レーザと、該半導体レーザの出力を伝える光伝送路と、該光伝送路から光を受けて該光を変調する光変調器と、該光変調器から出力される光を次段に伝えるための光ファイバと、上記光変調器を駆動するためのドライバ回路と、上記光変調器駆動用電気信号を終端させるための終端抵抗からなる光送信モジュールにおいて、
多重化機能を含むドライバ回路が形成された実装用の半絶縁性基板上に、該ドライバ回路出力と上記光変調器を接続するための第1の高周波伝送線路と、
上記ドライバ回路の出力を終端するための上記終端抵抗と、
上記光変調器と上記終端抵抗を接続するための第2の高周波伝送線路と、
上記半導体レーザに電流を供給するための電気配線と、
実装後の上記光変調器の出力光の出射点を含み該出力光の進行方向に平行な直線を含む垂直な平面が上記半絶縁性基板と交わる直線に沿って形成された光ファイバ固定用のV溝を有し、
上記半導体レーザと上記電気配線との電気的接続を果たす役割を担った複数個のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記半導体レーザが上記光変調器と光結合されるように上記半導体基板に固定され、
上記光変調器と上記第1および第2の高周波伝送線路との電気的接続を果たす役割を担った上記複数のメタルバンプを含むメタルバンプ群により、上記光変調器が上記光伝送路と光結合されるように上記半絶縁性基板に固定され、
上記V溝の延伸方向の前記光変調器と光結合される位置に前記V溝で光ファイバが固定されたことを特徴とする光送信モジュール。
IPC (2件):
FI (2件):
G02F1/01 F
, H01S5/026 616
Fターム (17件):
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079FA03
, 2H079HA15
, 2H079KA11
, 2H079KA18
, 5F073AB14
, 5F073AB15
, 5F073AB21
, 5F073AB28
, 5F073BA01
, 5F073FA15
, 5F073FA22
引用特許: