特許
J-GLOBAL ID：200903084674748773

半導体装置の製造方法

発明者：
菅原 稔

菅原 稔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064782
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251536
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 露光波長よりも微細で且つ密なパターンと露光波長よりも微細で且つ疎なパターンとの両方を含む半導体装置を製造する。【解決手段】 メモリ部12及び論理部13の多結晶Si膜15をエッチングする際のマスクにするレジスト17、23を形成するために別個のリソグラフィを実行する。このため、リソグラフィで露光方法やマスク層の材料等について別個の条件を採用することができ、多結晶Si膜15をメモリ部12及び論理部13で夫々露光波長よりも微細で且つ密なパターン及び疎なパターンにエッチングする場合に、夫々のパターンの形成に適した条件を採用することができる。
請求項（抜粋）：
第1の領域における被エッチング層上に第1のマスク層を形成するための第1のリソグラフィを実行する工程と、第2の領域における前記被エッチング層上に第2のマスク層を形成するための第2のリソグラフィを実行する工程と、前記第1及び第2のマスク層をマスクにして前記第1及び第2の領域における前記被エッチング層を同時にエッチングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/10 681 F
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 露光方法及び露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334121   出願人：株式会社日立製作所
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-256319   出願人：沖電気工業株式会社
審査官引用 (2件)
  • 露光方法及び露光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334121   出願人：株式会社日立製作所
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-256319   出願人：沖電気工業株式会社

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