特許

J-GLOBAL ID：200903084697732467

表面改質方法及び表面改質装置

発明者： 宮川 草児 ,  宮川 佳子 ,  斎藤 和雄 ,  西村 芳実 ,  堀部 博志 ,  柴田 雅明
出願人/特許権者： 経済産業省産業技術総合研究所長 ,  株式会社栗田製作所 ,  宮川 草児 ,  宮川 佳子 ,  斎藤 和雄
代理人 (2件)： 中村 茂信 ,  中村 茂信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335549
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156013
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 被処理物のイオン注入の表面処理を均一になし得るとともに、定温加熱制御を実現する。【解決手段】 被処理物1をチャンバ10内に入れ、チャンバ10内を真空引き、ガス導入した後、プラズマ発生用電源40よりアンテナ30に高周波電圧を印加して、被処理物1近傍をプラズマ状態とし、負の高電圧パルス発生電源50より、負の高電圧パルスを干渉防止回路70を介して導体11に加え、被処理物1に+イオンによるイオン誘引を行う。その後、正の高電圧パルス発生電源60より、導体11に正のパルス電圧を印加して電子ボンバードして、電子衝突による被処理物1表面の加熱を行う。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に導体を介して被処理物を配し、被処理物周囲をプラズマ状態とした上で、前記導体に負の高電圧パルスを印加して、被処理物にイオン誘引を行う表面改質方法において、前記負の高電圧パルスを印加する導体に、正の電圧を印加して、電子を被処理物に誘引衝突させて被処理物を加熱するようにしたことを特徴とする表面改質方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H05H 1/24

FI (4件)：

H01L 21/265 602 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/265 F

Fターム (4件)：

4K029DA08 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029FA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-280055
  
• 特開昭62-279626
  
• 半導体装置の製造方法及びイオンドーピング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-264998   出願人：ソニー株式会社