トランジスタマトリクス装置及びその駆動方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017526
公開番号（公開出願番号）：特開平9-096839
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】大きな容量値の補助容量を形成することができ、製造上の歩留まりを悪化させることがない薄膜トランジスタマトリクス装置を提供する。【解決手段】ゲートバスライン16n、16n+1、16n+2、...、ドレインバスライン18m、18m+1、...が平行に複数本設けられている。薄膜トランジスタ14は、補助パターン30n、30n+1、30n+2、...の下端近傍に設けられている。薄膜トランジスタ14のソース電極36はコンタクトホール38を介して画素電極12に接続されている。画素電極12は、次の列のゲートバスライン16n、16n+1、16n+2、...を越えた位置に形成されている。画素電極12の下端には、補助容量Csを形成するための中間電極40が形成されている。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ設けられ、各画素電極をスイッチングする複数のトランジスタと、前記トランジスタのゲートを共通接続する複数のゲートバスラインと、前記トランジスタのドレインを共通接続する複数のドレインバスラインとを有するトランジスタマトリクス装置において、第n番目のゲートバスラインに前記トランジスタを介して接続された第n番目の行の画素電極の少なくとも一部の領域が、前記第n番目のゲートバスラインに隣接する第n+1番目のゲートバスラインと、前記n+1番目のゲートバスラインに隣接する第n+2番目のゲートバスラインとの間に位置していることを特徴とするトランジスタマトリクス装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

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公報種別：公開公報出願番号：特願平7-072480 出願人：カシオ計算機株式会社
アクティブマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-124323 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338807 出願人：富士通株式会社

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