特許

J-GLOBAL ID：200903084753314681

脚柱型記憶ノード用コンタクトプラグ及びその製造方法

発明者： 江 明崇 ,  許 伯如 ,  朱 聰明
出願人/特許権者： 華邦電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281096
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196563
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 脚柱型記憶ノード用コンタクトプラグ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 (a)基板を提供する工程、(b)基板上に第1絶縁層を形成する工程、(c)第1絶縁層に埋込コンタクトを少なくとも1つ形成する工程、(d)一連の堆積及びエッチングによって、埋込コンタクト内の基板上に導電層とバリヤー層とを形成する工程(導電層とバリヤー層とを足した高さは埋込コンタクトの深さよりも小さい)、(e)第1絶縁層及びバリヤー層上に順応的なシード層を形成する工程、(f)第2絶縁層を形成し、これに埋込コンタクトと連接するようなホールを形成する工程、(g)シード層上にホールを埋める記憶ノードを形成する工程、及び(h)第1絶縁層上に位置する第2絶縁層及びシード層を除去する工程からなる方法によって、脚柱型記憶ノード及びそのコンタクトプラグを製造する。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの埋込コンタクトを備える絶縁層と、前記埋込コンタクト内に位置する導電層と、前記導電層上に形成されるバリヤー層と、前記バリヤー層上に形成され、前記埋込コンタクトの開口部で膨らむシード層と、前記シード層上に形成された脚柱型の記憶ノードとからなることを特徴とするコンタクトプラグ。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 400 ,  H01G 13/00 391 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (9件)：

H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 400 ,  H01G 13/00 391 J ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-123927   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066336   出願人：ソニー株式会社