特許

J-GLOBAL ID：200903057228129825

半導体装置の製造方法

発明者： 広中 克行 ,  落合 昭彦 ,  田中 均洋 ,  香取 健二 ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066336
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265984
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 誘電体キャパシタの電極材料を、めっき法により白金族金属で形成すると、めっき浴中に含まれる還元剤、pH調整用の緩衝剤等のNa、Kを含む化合物により、トランジスタ特性が著しく劣化する。【解決手段】 基体10上にめっきマスク層31を形成した後、めっきマスク層31に基体10に達するものでキャパシタの電極が設けられる開口部32を形成する工程と、Na、K等を含まないめっき浴を用いた電気めっき法によって開口部32内を埋め込む状態に白金族金属からなる電極材料層33を形成する工程と、開口部32に埋め込んだ電極材料層33を残してめっきマスク層31を除去し、電極材料層33でキャパシタの電極(下部電極17)を形成する工程とを備えている製造方法である。

請求項（抜粋）：

基体上にめっきマスク層を形成した後、該めっきマスク層に、前記基体に達する開口部を形成する工程と、めっき法によって前記開口部内を埋め込む状態に電極材料層を形成する工程と、前記開口部内に前記電極材料層を残して前記めっきマスク層を除去し、残した電極材料層でキャパシタの電極を成す工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 導電体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-229630   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-097873
  
• 高誘電体キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-301586   出願人：三星電子株式会社
• 特開平4-092468
  
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-260212   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-177596
  
• 強誘電体薄膜素子、それを用いた半導体装置、及び強誘電体薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062538   出願人：シャープ株式会社