半導体レーザ装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127779
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323788
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】窓構造部を有する半導体レーザ装置において、窓領域のリッジを制御性良く作製し、出射広がり角の制御された高出力、高信頼性の半導体レーザを歩留まり良く提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に配置された第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層の上に配置された、少なくとも一方の共振器端面の近傍領域がディスオーダーされた超格子構造を有する活性層と、該活性層の上に配置された第2導電型の第1クラッド層と、該第2導電型の第1クラッド層の上に配置された第2導電型のエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の上に配置された、共振器方向に伸びて且つ所定の幅を有するリッジ構造を呈する第2導電型の第2クラッド層と、を備える。該共振器端面の該近傍領域における該エッチングストップ層の中の不純物の濃度が、共振器内部における該不純物の濃度の値よりも大きく、且つ2×1018cm-3以下である。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に配置された第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層の上に配置された、少なくとも一方の共振器端面の近傍領域がディスオーダーされた超格子構造を有する活性層と、該活性層の上に配置された第2導電型の第1クラッド層と、該第2導電型の第1クラッド層の上に配置された第2導電型のエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の上に配置された、共振器方向に伸びて且つ所定の幅を有するリッジ構造を呈する第2導電型の第2クラッド層と、を備え、該共振器端面の該近傍領域における該エッチングストップ層の中の不純物の濃度が、共振器内部における該不純物の濃度の値よりも大きく、且つ2×1018cm-3以下である、半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/16 , H01S 5/227

FI (2件)：

H01S 3/18 648 , H01S 3/18 665

Fターム (8件)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA86 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073DA15 , 5F073DA22 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-208388
特開平4-014277
端面窓構造付き半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-355499 出願人：三洋電機株式会社

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