特許

J-GLOBAL ID：200903084765604693

発光素子および結晶成長方法

発明者： 鈴木 伸洋 ,  菅原 秀人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355535
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186602
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 サファイア基板のバッファ層上にn-GaN、n-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x≦1)を順次成長する際、n-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x≦1)の膜厚を厚くしたり、Al組成を上げてもクラックが入らないないようにし、性能の高い発光素子を製造する。【解決手段】サファイア基板の温度を450°Cまで冷却し、TMG、TMI、及びキャリアガス等を流して膜厚100nmのInGaNバッファ層を成長させ、サファイア基板の温度を1100°Cに加熱しTMG、SiH<SB>4</SB>、及びキャリアガス等を流して膜厚4umのn型GaN層を成長させ基板の温度を保ったまま上記のキャリアガス等を流して膜厚350nmのn型Al<SB>0.15</SB>Ga<SB>0.85</SB>N層14を成長させる。In系のInGaNバッファ層は混晶が軟らかく、AlGaNクラッド層を、Al組成15[%]膜厚350nmとしても、GaN層にクラックが入らず窒化ガリウム系化合物半導体を製造できる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上のバッファ層上にn-GaN層を有し、前記n-GaN層上にn-Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x≦1)層を有する発光素子において、前記バッファ層が膜厚50[nm]〜500[nm]のIn<SB>s</SB>Ga<SB>1-s</SB>N(0<s≦1)バッファ層であることを特徴とする発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235013   出願人：ローム株式会社