特許

J-GLOBAL ID：200903084779457421

半導体装置及びその製造方法

発明者： 和田 勝 ,  近藤 眞一郎 ,  安田 亮一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088090
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】有機半導体分子を材料として形成される導電路が新規な構造を有し、高い移動度を示す半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】4,4’-ビフェニルジチオール等の有機半導体分子9の両端にある官能基によって、Au等の導体又は半導体からなる微粒子8と有機半導体分子9とを交互に結合させ、微粒子8内の導電路と有機半導体分子9内の導電路とが二次元または三次元的に連結されたネットワーク型の導電路を形成する。この導電路には、分子間の電子移動が含まれず、移動度が分子間の電子移動によって制限されることがないので、有機半導体分子内の主鎖に沿った(分子の軸方向の)導電路の移動度、例えば非局在化したπ電子による高い分子内移動度を最大限に利用することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導体又は半導体からなる微粒子と、この微粒子と結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、この導電路の導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28

Fターム (36件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-115425   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 有機半導体中の荷電粒子の移動度を改善するための添加剤としてのシリコン粒子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-502377   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト