特許

J-GLOBAL ID：200903030513367475

有機薄膜トランジスタ素子

発明者： 平井 桂 ,  福田 光弘
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-115425
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006827
出願日： 2003年04月21日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】簡易的な作製法により、駆動バイアスが低減され、高いON電流が得られる有機TFT素子を提供する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極を連結する有機半導体層中に、電界が付与されない時には前記電極の少なくとも一方と絶縁状態にある導電性領域を有する有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ソース電極及びドレイン電極を連結する有機半導体層中に、電界が付与されない時には前記電極の少なくとも一方と絶縁状態にある、導電性領域を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (35件)：

5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110GG60 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-255669
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-184860   出願人：ソニー株式会社
• 有機半導体中の荷電粒子の移動度を改善するための添加剤としてのシリコン粒子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-502377   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• 有機半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-106354   出願人：キヤノン株式会社