特許

J-GLOBAL ID：200903084792557680

拡散ウエハおよびその製造方法

発明者： 田中 朗 ,  竹迫 健一 ,  金子 忠義 ,  板越 徹 ,  須藤 義勝
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259859
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 拡散ウエハの不純物拡散層を形成するための拡散時間を短縮させることにより、生産性の向上を図ることができ、さらに、デバイス形成に耐え得る十分な強度を有している拡散ウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエハ1の片面に、陽極化成処理により、多孔質層2を形成させる工程と、前記多孔質層2が形成されたシリコンウエハの少なくとも多孔質層2側に不純物拡散源層3’を形成する工程と、前記多孔質層2側の反対面を所定の厚さまで除去し、非拡散層1’を露出させる工程と、前記不純物拡散源を熱処理により拡散させることにより、前記多孔質層2全域に不純物拡散層2’を形成する工程と、前記不純物拡散層2’の反対面を鏡面加工する工程とを備えた製造方法により、2層構造または3層構造からなる拡散ウエハを得る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

非拡散層の下面が多孔質の不純物拡散層である2層構造からなることを特徴とする拡散ウエハ。

IPC (1件)：

H01L21/22

FI (1件)：

H01L21/22 W

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 拡散ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-283992   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 特開平1-293613号公報