特許
J-GLOBAL ID：200903084804659700
位相シフトマスク並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047820
公開番号（公開出願番号）：特開平7-234499
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】ウエハ上のレジスト材料に形成されるパターンを設計値に等しくし得る位相シフトマスクを提供する。【構成】位相シフトマスクは、第1の光透過領域20、第1の光透過領域20を通過した光の位相とは異なる位相の光を通過させる第2の光透過領域22、及び第1の光透過領域と第2の光透過領域との間に設けられた遮光領域12から成り、第1又は第2の光透過領域20,22の幅をWt、第1又は第2の光透過領域を透過した光によって投影光学系を介して基体上のレジスト材料に形成されるパターンの幅をWp、投影光学系の縮小倍率をNとした場合、Wt及びWpは Wt<Wp×N を満足することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の光透過領域、第1の光透過領域を通過した光の位相とは異なる位相の光を通過させる第2の光透過領域、及び第1の光透過領域と第2の光透過領域との間に設けられた遮光領域から成る位相シフトマスクであって、第1又は第2の光透過領域の幅をWt、第1又は第2の光透過領域を透過した光によって投影光学系を介して基体上のレジスト材料に形成されるパターンの幅をWp、投影光学系の縮小倍率をNとした場合、Wt及びWpは、Wt<Wp×Nを満足することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
