特許

J-GLOBAL ID：200903084820602328

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 山田 重和
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-380841
公開番号（公開出願番号）：特開2004-362729
出願日： 2003年11月11日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】 2つのリファレンスセルの平均電流をリファレンス電流とする構成の不揮発性半導体記憶装置において、隣接メモリセルのリーク電流に影響されない、対象メモリセルの正確なプログラムベリファイ電流の検出を可能とするパターン依存補正方式を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイのメモリセルに対しプログラムベリファイ動作を実行する制御部と、制御部がメモリセルアレイ内の対象メモリセルに対しプログラムベリファイ動作を行う際に、対象メモリセルに隣接する隣接メモリセルのリーク電流が所定の基準値を超える場合には、そのリーク電流を補正するための補正電流を対象メモリセルのビット線に供給する補正電流供給部とを備える。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、第1のリファレンスセルと第2のリファレンスセルを含むリファレンスセルと、前記第1のリファレンスセルと前記第2のリファレンスセルとから平均リファレンス電流を求め、前記平均リファレンス電流と前記メモリセルアレイの各メモリセルの読み出し電流とを大小比較することで読み出しデータを判定するデータ判定制御部とを有する不揮発性半導体記憶装置であって、 前記メモリセルアレイのメモリセルに対しプログラムベリファイ動作を実行する制御部と、 前記制御部が前記メモリセルアレイ内の対象メモリセルに対しプログラムベリファイ動作を行う際に、対象メモリセルに隣接する隣接メモリセルのリーク電流が所定の基準値を超える場合には、そのリーク電流を補正するための補正電流を対象メモリセルのビット線に供給する補正電流供給部と、 を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C16/06 ,  G11C16/02

FI (3件)：

G11C17/00 634E ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 641

Fターム (4件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD07 ,  5B025AE08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体メモリ装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334916   出願人：富士通株式会社