不揮発性半導体メモリ装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334916
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156272
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】製造が容易で、信頼性が高く、1セル当り複数の情報を記憶することができる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】キャリアトラップ層を含むゲート絶縁膜とその上のゲート電極とを備え、ゲート電極の両側に対称的に第1および第2の拡散層を形成した不揮発性半導体メモリ装置の制御方法であって、第1の拡散層に高レベルの第1の電圧を印加し、第2の拡散層に第1の電圧より低レベルの第2の電圧を印加しゲート電極に第2の電圧より高レベルの第3の電圧を印加することにより第1の拡散層近傍のメモリ位置に第1極性のホットキャリアによる書込みを選択的に行なう工程と;第1の拡散層に高レベルの第1の電圧を印加し、第2の拡散層に前記第1の電圧より低レベルの第2の電圧を印加しゲート電極に第1の電圧より低レベルの第3の電圧を印加することにより第1の拡散層近傍のメモリ位置にバンド間トンネル効果により生じた第1極性と逆の第2極性のホットキャリアによる消去を選択的に行なう工程と;を含む。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面領域にチャネル領域を画定するように対称的に形成された第2導電型の第1および第2の拡散層と、前記チャネル領域上に形成され、キャリアをトラップすることのできるキャリアトラップ層を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、書込み時には前記ゲート電極に高レベルの電圧を印加し、前記第1及び第2の拡散層にはその一方に低レベルの電圧、他方には高レベルの電圧を印加し、高レベルの電圧を印加された拡散層近傍の前記キャリアトラップ層に第2導電型のホットキャリアを注入し、読出し時には前記チャネル領域に書込み時と逆方向に第2導電型のキャリアを流し、消去時には前記ゲート電極に低レベル又は逆極性の電圧を印加し、前記一方の拡散層に低レベルの電圧、前記他方の拡散層には高レベルの電圧を印加し、前記他方の拡散層近傍においてバンド間トンネル効果によって生じた第1導電型のホットキャリアを高レベルの電圧を印加された前記他方の拡散層近傍の前記キャリアトラップ層に注入し、第2導電型のキャリアを中和することのできる制御回路とを有する不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (7件)：

H01L 27/115 , G11C 16/04 , G11C 16/02 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 27/10 481 , H01L 27/10 434 , G11C 17/00 621 A , G11C 17/00 621 B , G11C 17/00 622 Z , G11C 17/00 641 , H01L 29/78 371

Fターム (63件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AE00 , 5B025AE08 , 5F001AA14 , 5F001AB02 , 5F001AC01 , 5F001AC02 , 5F001AC03 , 5F001AC06 , 5F001AD12 , 5F001AD19 , 5F001AD51 , 5F001AE02 , 5F001AE03 , 5F001AE08 , 5F001AF06 , 5F001AF07 , 5F001AF20 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F083EP18 , 5F083ER02 , 5F083ER05 , 5F083ER09 , 5F083ER11 , 5F083ER22 , 5F083ER23 , 5F083ER30 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083LA04 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083ZA21 , 5F101BA46 , 5F101BB02 , 5F101BC01 , 5F101BC02 , 5F101BC04 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD10 , 5F101BD32 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF05 , 5F101BH02 , 5F101BH09 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-132620 出願人：ローム株式会社
不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置ならびにこの記憶装置の駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-133621 出願人：ローム株式会社
改善されたSN比を有する多値固定値メモリセル
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-524568 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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