銅薄膜のエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113542
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326059
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】銅薄膜のパターニングに関し、迅速かつ精密な反応性イオンエッチング方法の提供を目的とする。【構成】基板1上に形成された銅層4を含む導電性薄膜6を, SiCl4 及び窒素Nに炭素化合物ガスを添加した混合ガスプラズマを用いる反応性イオンエッチングにより,マスクパターン7を導電性薄膜6に転写する銅薄膜のエッチング方法であって,基板温度を,導電性薄膜6のエッチング速度が基板温度の上昇に従い増加し始める温度よりも高く保持する。炭素化合物ガスとして容積比で3 〜15%のCCl4を含み, かつ基板温度を250 °C以上とすることが好ましい。

請求項（抜粋）：

基板(1)上に,銅若しくは銅を主成分とする銅合金からなる銅層(4),該銅層(4)を含む薄膜,及び該銅層(4)の上及び/又は下に形成され高融点金属又はその合金の何れかからなる拡散阻止層(3,5)とを含む薄膜の内の何れかからなる導電性薄膜(6)を形成する工程と,該導電性薄膜(6)の表面の一部領域を表出しかつその他の領域を被覆するエッチング用マスクパターン(7)を形成する工程と,四塩化珪素(SiCl4 )及び窒素(N)に炭素化合物ガスを添加した混合ガスのプラズマを用いた反応性イオンエッチングにより,該導電性薄膜(6)の表出する領域を除去して該エッチング用マスクパターン(7)を該導電性薄膜(6)に転写する工程とを有することを特徴とする銅薄膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-072625
特開平4-354133
特開昭63-181429

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