半導体装置用金属膜研磨スラリー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300827
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135467
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】配線材料の研磨レートが高く、酸化膜との研磨レートの選択比も大きく、溶解、腐食によるボイド発生がない半導体装置用金属膜研磨スラリーを提供する。【解決手段】水、砥粒および4価のセリウムの水溶性塩を含有する半導体装置用金属膜研磨スラリー。

請求項（抜粋）：

水、砥粒および研磨促進剤を含有し、該研磨促進剤として4価のセリウムの水溶性塩を含むことを特徴とする半導体装置用金属膜研磨スラリー。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 321 P , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

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