特許
J-GLOBAL ID:200903084834961266

酸化ガリウム-酸化インジウム混晶の製造方法及び製造された混晶を用いた受光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 萬里
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-208740
公開番号(公開出願番号):特開2009-044019
出願日: 2007年08月10日
公開日(公表日): 2009年02月26日
要約:
【課題】小型・簡便な固体素子型の火炎センサーとして利用可能な紫外線センサーなどに応用される(Ga1-xInx)2O3(ただし、0<x<1)混晶であって、x値を任意に設定することが可能な(Ga1-xInx)2O3混晶を低コストで製造する。【解決手段】2-メトキシエタノールとモノエタノールアミンの混合溶液にガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドを溶解させたゾルを基板上に塗布し、空気中600〜1200°Cで30〜90分焼成することにより薄膜を得る。ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。これにより、(Ga1-xInx)2O3混晶のx値を任意に設定でき、x値に応じて250〜280nmの紫外光が検出できる。【選択図】図5
請求項(抜粋):
溶媒にガリウムを含む化合物とインジウムを含む化合物を溶解させて作製した溶液を基板上に塗布し、空気中で加熱焼成することにより薄膜を得ることを特徴とする酸化ガリウム-酸化インジウム混晶の製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/024 ,  C01G 15/00
FI (2件):
H01L31/08 G ,  C01G15/00 Z
Fターム (5件):
5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088CB20 ,  5F088GA02 ,  5F088LA05
引用特許:
出願人引用 (2件)

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