特許

J-GLOBAL ID：200903084850837567

圧電アクチュエータの製造方法、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置

発明者： 津田 昭仁
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-038942
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228866
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】 優れた圧電特性を有し、且つ圧電体層と上電極との密着性が向上した圧電アクチュエータの製造方法及び圧電アクチュエータを提供する。 【解決手段】 基板10上に絶縁膜(弾性膜)25を形成する工程と、絶縁膜25上に下電極13を形成する工程と、下電極13上に圧電体膜14を形成する工程と、圧電体膜14上に第1の導電膜15を形成する工程と、第1の導電膜15を通して、少なくとも圧電体膜14と第1の導電膜15との界面にイオンを打ち込んで導電層16を形成し、第1の導電膜15及び導電層16を備えた上電極形成用膜17を構成する工程と、圧電体膜14及び上電極形成用膜17をパターニングし、圧電体層18及び上電極19を形成する工程と、を含んでなる圧電アクチュエータの製造方法である。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

絶縁膜及び当該絶縁膜上に形成された下電極を含む振動板と、当該振動板上に形成された圧電体層と、当該圧電体層上に形成された上電極と、を備えた圧電アクチュエータの製造方法であって、 基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に下電極を形成する工程と、 前記下電極上に圧電体膜を形成する工程と、 前記圧電体膜上に第1の導電膜を形成する工程と、 前記第1の導電膜を通して、少なくとも前記圧電体膜と第1の導電膜との界面にイオンを打ち込んで導電層を形成し、当該第1の導電膜及び導電層を備えた上電極形成用膜を構成する工程と、 前記圧電体膜及び上電極形成用膜をパターニングし、圧電体層及び上電極を形成する工程と、 を含んでなる圧電アクチュエータの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 41/22 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18

FI (6件)：

H01L41/22 Z ,  B41J3/04 103H ,  B41J3/04 103A ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z

Fターム (14件)：

2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG14 ,  2C057AG44 ,  2C057AG55 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP34 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP58 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-363644   出願人：セイコーエプソン株式会社