特許
J-GLOBAL ID：200903084854593085
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013342
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237454
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 低電圧動作で増倍率が高く、同時に暗電流が低い高感度のアバランシェ増倍型の半導体受光素子を提供することを目的とし、さらに、光吸収層の格子整合条件を取り除き、光吸収層の材料の範囲を広げることができるアバランシェ増倍型の半導体受光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、アバランシェ増倍層12及び光吸収層14、15を備え、これら増倍層12及び光吸収層14、15の一方または双方をガイド層11、16で挟んでなる導波路型の半導体受光素子において、光吸収層14、15のキャリア濃度を、アバランシェ増倍層12のキャリア濃度より高濃度としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、アバランシェ増倍層及び光吸収層を備え、これらの層の一方または双方をガイド層で挟んでなる導波路型の半導体受光素子において、前記光吸収層のキャリア濃度を、前記アバランシェ増倍層のキャリア濃度より高濃度としたことを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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