特許
J-GLOBAL ID：200903084876765823

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
栗山 俊寛

栗山 俊寛 について

, 
田中 晶二

田中 晶二 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235826
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012822
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 高感度のMOS型固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10内に形成された受光部13および検出部14aと、受光部13と検出部14aとの間の半導体基板10上に絶縁膜11を介して形成されたゲート電極12と、検出部14aと電気的に接続した読み出し回路とを含む画素が複数配置され、反射防止膜15aが、半導体基板10の上方に、検出部14aの少なくとも一部の上方を避け、受光部13の上方にあっては絶縁膜11を介して形成されている固体撮像装置とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された受光部および拡散領域と、前記受光部と前記拡散領域との間の前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記受光部または前記拡散領域と電気的に接続した読み出し回路とを含む画素が複数配置された固体撮像装置であって、反射防止膜が、前記半導体基板の上方に、前記拡散領域の少なくとも一部の上方を避け、前記受光部の上方にあっては前記絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E
Fターム (22件)：
4M118AA01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118CA34 ,  4M118DA20 ,  4M118DD04 ,  4M118DD06 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA31
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 特開昭63-014466
  • 特開昭63-014466
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114208   出願人：オリンパス光学工業株式会社
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