特許

J-GLOBAL ID：200903084887853910

光触媒半導体素子及びその作製方法、光触媒酸化還元反応装置及び光電気化学反応実行方法

発明者： 八百 隆文 ,  藤井 克司
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (6件)： 重信 和男 ,  内野 春喜 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直 ,  秋庭 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-058107
公開番号（公開出願番号）：特開2008-264769
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】本発明の課題は、さまざまな基板上に形成できるとともに光照射により生じたキャリアの利用効率を向上させるIII-V族窒化物半導体からなる光触媒半導体素子及びその作製方法を提供することにある。また、本発明の他の課題は、光照射により酸化還元反応を生じさせることができる光触媒酸化還元反応装置及び光電気化学反応実行方法を提供することにある。【解決手段】導電性の基体とその上にドット状又はロッド状に形成されたIII-V族窒化物半導体とを含む光触媒半導体素子及びその作製方法、光触媒酸化還元反応装置及び光電気化学反応実行方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性の基体とその上にドット状又はロッド状に形成されたIII-V族窒化物半導体とを含む光触媒半導体素子。

IPC (4件)：

B01J 35/02 ,  B01J 27/24 ,  B01J 37/02 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

B01J35/02 J ,  B01J27/24 M ,  B01J37/02 301P ,  H01M14/00 P

Fターム (45件)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA48A ,  4G169BA48C ,  4G169BB04A ,  4G169BB11A ,  4G169BB11B ,  4G169BC15A ,  4G169BC17B ,  4G169BC20A ,  4G169BC24A ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC38A ,  4G169BC49A ,  4G169BC53A ,  4G169BC69A ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169CC33 ,  4G169CC40 ,  4G169EA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15Y ,  4G169EC21X ,  4G169EE06 ,  4G169FA03 ,  4G169FB01 ,  4G169FB80 ,  4G169HA14 ,  4G169HB10 ,  4G169HC15 ,  4G169HC35 ,  4G169HD12 ,  4G169HE09 ,  4G169HE20 ,  4G169HF05 ,  5H032AA06 ,  5H032AA07 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE15 ,  5H032HH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光触媒用集電電極、光反応素子および光触媒反応装置、並びに光電気化学反応実行方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-298397   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 学校法人東京理科大学
• ガスの製造方法、酸性水及びアルカリ水の製造方法、並びにそれらの製造装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2006301513   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 学校法人東京理科大学