複合型MOSFET

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-299661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031980
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】ドレイン端子がソース端子に対し、正方向にも負方向にも共に高い耐圧を有し、従来のパワーMOSFETと同様のプロセスを用いてワンチップで実現可能な複合型MOSFETを提供する。【解決手段】パワーMOSFET10,11のドレイン同士を接続し、MOSFET10のソース及びゲートをそれぞれ複合型MOSFET60のソース端子0及びゲート端子1とし、MOSFET11のソースをドレイン端子2とする。端子2の電圧が負の場合にMOSFET11をオフ駆動する電圧比較回路50を設け、端子1とMOSFET11のゲートとの間に端子2から回路50を介して端子1へ流れる電流を阻止すると共に端子1の電圧をMOSFET11のゲートに伝える電圧伝達回路51を設ける。正方向の耐圧はMOSFET10により、負方向の耐圧はMOSFET11により得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1外部端子と、第2外部端子と、それぞれ第1端子、第2端子及び制御端子を有し、前記第1端子はそのボディに接続され、同じ導電型である第1及び第2のMOSFETとを有し、前記第1のMOSFETは、その第1端子を前記第1外部端子に接続し、前記第2のMOSFETは、その第1端子を前記第2外部端子に接続し、その第2端子を前記第1のMOSFETの第2端子に接続し、前記第1のMOSFETの制御端子と第1端子との間に第1の保護ダイオードを設け、前記第2のMOSFETの制御端子と第1端子との間に第2の保護ダイオードを設けた半導体装置。

IPC (6件)：

H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L29/78

FI (8件)：

H01L27/06 311B , H01L29/78 652Q , H01L29/78 656A , H01L29/78 656C , H01L29/78 657A , H01L29/78 657G , H01L27/08 102J , H01L27/04 H

Fターム (28件)：

5F038AZ08 , 5F038BH02 , 5F038BH04 , 5F038BH05 , 5F038BH11 , 5F038DF01 , 5F038DT12 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB10 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA06 , 5F048BA12 , 5F048BB05 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC20 , 5F048BD07 , 5F048BE03 , 5F048BF16 , 5F048BH07 , 5F048CC06 , 5F048CC15 , 5F048CC16 , 5F048CC18

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭55-9444号公報

審査官引用 (10件)

複合型MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-310152 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-122665
特開平2-179223

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