半導体レ-ザ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-146375
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344061
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】半導体レ-ザ素子の組立プロセスにおいて、半田に起因する複数の電極間の短絡を防止し、歩留まりを高める。【解決手段】第1の電極を有する半導体レーザ・チップとレーザ保持部材とを有し、前記レーザ保持部材は、前記半導体レーザ・チップが搭載される面に電極及びこれに電気的に接続された半田層を有し、前記半導体レーザ・チップの第1の電極は前記レーザ保持部材の半田層に接続され、且つ前記レーザ保持部材の少なくとも半田層が、前記半導体レーザ・チップの光共振器の長手方向の少なくとも一方の端面より当該光共振器の外部に延在した半導体レーザ部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。更に、この半田層はレ-ザ出射端面の近傍ではレ-ザ出射位置から外れるように変形されている。

請求項（抜粋）：

第1の電極を有する半導体レーザ・チップとレーザ保持部材とを有し、前記レーザ保持部材は、前記半導体レーザ・チップが搭載される面に電極及びこれに電気的に接続された半田層を有し、前記半導体レーザ・チップの第1の電極は前記レーザ保持部材の半田層に接続され、且つ前記レーザ保持部材の少なくとも半田層が、前記半導体レーザ・チップの光共振器の長手方向の少なくとも一方の端面より当該光共振器の外部に延在した部分を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/022 , H01L 23/12 , H01L 25/07 , H01S 5/22 610

FI (4件)：

H01S 5/022 , H01S 5/22 610 , H01L 25/04 A , H01L 23/12 Q

Fターム (7件)：

5F073AA74 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA32 , 5F073DA34 , 5F073EA29 , 5F073FA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056443 出願人：株式会社島津製作所

審査官引用 (1件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056443 出願人：株式会社島津製作所

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