特許
J-GLOBAL ID：200903084905471230
半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-126106
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303346
出願日： 2005年04月25日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 はんだ層に作用する熱応力を緩和し、信頼性の向上した半導体モジュールを得ること。【解決手段】 半導体モジュール10は、CIC基板50の上層56と、はんだ層60と、半導体装置90の裏面電極が順に接合している構造を備えている。半導体モジュール10のはんだ層60に用いられている合金は、はんだ層60の融点を実質的に決定するBiからなる第1金属62と、第1金属62に混在しているとともにマルテンサイト変態の性質を有する第2金属64を備えている。第2金属64は、MnとAlとCuの合金で構成されている。その結果、外力に基づいて作用する応力が、第2金属64で生じるマルテンサイト機構又は超弾性機構によって緩和され、信頼性の向上した半導体モジュール10が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体モジュールであって、
絶縁性基板の表面導電層と、はんだ層と、半導体装置の裏面電極が順に接合している構造を備えており、
前記はんだ層に用いられる合金は、合金の融点を実質的に決定する第1金属と、第1金属に混在しているとともにマルテンサイト変態の性質を有する第2金属を備えていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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