特許
J-GLOBAL ID：200903084907790872
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-138259
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069380
出願日： 1991年05月13日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 熱サイクルテストで評価される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装置の提供。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)例えばのエポキシ樹脂。(B)例えばのフェノール樹脂。〔式中、nは0〜300の整数〕(C)無機質充填剤。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の(イ)および(ロ)の少なくとも一方。(イ)下記の一般式(1)および(2)で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方。【化1】【化2】(ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。(B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔ただし、(A)成分が上記(ロ)のみからなるときには、(B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。(ハ)下記の一般式(3)および(4)で表されるフエノール樹脂の少なくとも一方。【化3】【化4】(ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。(C)無機質充填剤。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/32 NHQ
, C08G 59/62 NJS
