特許
J-GLOBAL ID:200903084915741023

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-156731
公開番号(公開出願番号):特開2008-311366
出願日: 2007年06月13日
公開日(公表日): 2008年12月25日
要約:
【課題】 封止用樹脂のクラックや、封止用樹脂の剥離が抑えられた樹脂封止型半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明の樹脂封止型半導体装置1は、ヒートシンク2と、ヒートシンク2の一面側に搭載された回路基板3と、回路基板3と電気的に接続されたリードフレーム5と、ヒートシンク2の他面側を露出させつつヒートシンク2、回路基板3およびリードフレーム5を包み込むように封止する封止用樹脂7と、を備える樹脂封止型半導体装置1において、ヒートシンク2は、その端部から所定の長さの周縁部をもち、周縁部と回路基板3との間に、回路基板3をヒートシンク2に接合する接合材4のはみ出しや接合材4から低分子量成分の広がりを防止する進展防止手段21を有することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
鉄系金属よりなり、長手方向が30mm以上の略方形状を有するヒートシンクと、 該ヒートシンクの一面側に搭載された回路基板と、 該回路基板を該ヒートシンクに接合する接合材と、 該回路基板と電気的に接続されたリードフレームと、 該ヒートシンクの他面側を露出させつつ該ヒートシンク、該回路基板および該リードフレームを包み込むように封止する封止用樹脂と、 を備える樹脂封止型半導体装置において、 該ヒートシンクは、その端部から所定の長さの周縁部をもち、 該周縁部と該回路基板との間に、該接合材および該接合材に含まれる低分子量成分の広がりを防止する進展防止手段を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/52
FI (2件):
H01L23/50 F ,  H01L21/52 A
Fターム (5件):
5F047AA04 ,  5F047AA11 ,  5F047AB01 ,  5F047BA21 ,  5F067CA04
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 樹脂封止型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-204401   出願人:株式会社デンソー
  • 放熱構造体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-221715   出願人:電気化学工業株式会社

前のページに戻る