特許
J-GLOBAL ID：200903031085284426
樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
碓氷 裕彦
, 加藤 大登
, 伊藤 高順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-204401
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333156
出願日： 2005年07月13日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 ヒートシンク、半導体素子およびリードフレームを封止用樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、大幅な構成の変更をすることなく、封止用樹脂のクラック寿命、および、半導体素子、リードフレームからの封止用樹脂の剥離寿命、の両寿命を適切に確保できるようにする。【解決手段】 一面側に半導体素子としてのICチップ20が搭載されたCuもしくはCu合金からなるヒートシンク10は、その他面側を露出させつつリードフレーム40とともに封止用樹脂60で封止されている。封止用樹脂60のフィラー含有率が84wt%以上であり、ヒートシンク10はその側面に突起部12を有し、ヒートシンク10の他面から突起部12までの距離をt(mm)、封止用樹脂60の熱膨張係数をα(ppm/°C)とすると、t>-0.04α+0.7の関係が成立している。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
CuもしくはCu合金からなるヒートシンク(10)と、
このヒートシンクの一面側に搭載された半導体素子(20)と、
この半導体素子と電気的に接続されたリードフレーム(40)と、
前記ヒートシンクの他面側を露出させつつ前記ヒートシンク、前記半導体素子および前記リードフレームを包み込むように封止する封止用樹脂(60)とを備える樹脂封止型半導体装置において、
前記封止用樹脂はフィラーを含有するものであって、そのフィラー含有率が84wt%以上であり、
前記ヒートシンクは、前記一面と前記他面との間の側面に、突起部(12)を有するものであり、
前記ヒートシンクの他面から前記突起部までの距離をt(単位mm)、前記封止用樹脂の熱膨張係数をα(単位ppm/°C)とすると、t>-0.04α+0.7
の関係が成立していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F067AA04
, 5F067AA06
, 5F067AA07
, 5F067AB02
, 5F067BD05
, 5F067BE04
, 5F067BE07
, 5F067BE08
, 5F067CA03
, 5F067CA04
, 5F067DA05
, 5F067DE08
, 5F067EA04
