特許
J-GLOBAL ID：200903084927954383
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095234
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283469
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 エキスパンド時や組立工程上の振動等によってダイシング済みの半導体ウェハーから半導体素子が脱落する。【解決手段】 接着シート3に貼り付けられたダイシング後の半導体ウェハー1の裏面側から露光マスク6を用いて、部分的に紫外線光5の照射を行なう。そのため、個々の半導体素子4の裏面においては、接着シート3の接着剤は紫外線硬化された部分と硬化されていない部分とが存在することになる。半導体素子4裏面の未光硬化の接着剤層の存在により、半導体素子4は接着シート3に保持され、エキスパンド時や組立工程上の振動等によっても半導体素子4が接着シート3から脱落することを防止できるものである。また未光硬化の接着剤層の領域はダイボンド時の接着剤の領域と対応させるものである。
請求項（抜粋）：
接着剤層が形成されたシート上に半導体ウェハーを貼り付け、個々の半導体素子に分割する工程と、前記半導体ウェハーを分割後、ウェハー内に形成された各半導体素子の裏面領域のシートに部分的に光を照射し、部分的に未光硬化の接着剤層を残存させる工程と、前記残存した接着剤層の接着力により分割された各半導体素子を保持した状態で半導体ウェハー内から半導体素子を取り出す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/78 P
, H01L 21/26 L
, H01L 21/78 R
, H01L 21/78 M
