特許

J-GLOBAL ID：200903084934533431

電気短絡欠陥を赤外線検出するための方法およびシステム

発明者： エナチェスク,マリウス ,  ベリコフ,サーギー ,  マイヤー,ステファン,エフ.
出願人/特許権者： キャンデゼント テクノロジーズ コーポレイション
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-546302
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503532
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

フラットパネルディスプレイ、例えば電界放出ディスプレイ(FED)のプレート構造中の電気短絡欠陥を検出するための方法およびシステムである。一実施形態では、プロセスは、最初に、プレート構造の電気導体に刺激を印加している。プロセスは、次に、FEDの陰極領域の赤外線熱地図を作成している。例えば赤外線アレイを使用して、FEDの陰極の写真がスナップされる。プロセスは、次に、赤外線熱地図を解析し、FEDの電気短絡欠陥を含んだ領域を決定している。他の実施形態は、先行する赤外線熱地図作成プロセスによって電気短絡欠陥を含んでいることが決定している領域の赤外線地図を作成することによって、欠陥を1つのサブピクセルに限定している。プロセスは、次にこの赤外線地図を解析し、FEDの電気短絡欠陥を含んだサブピクセルを決定している。

請求項（抜粋）：

フラットパネルディスプレイのプレート構造中の欠陥を赤外線熱検出する方法であって、 a)前記プレート構造の電気導体に刺激を与えるステップと、 b)前記プレート構造の陰極の赤外線熱地図を作成するステップと、 c)前記赤外線熱地図を解析して、前記陰極の前記欠陥を含んだ領域を決定するステップと を含む方法。

IPC (4件)：

G01N25/72 ,  G01M11/00 ,  G09F9/00 ,  H01J9/42

FI (4件)：

G01N25/72 Y ,  G01M11/00 T ,  G09F9/00 352 ,  H01J9/42 A

Fターム (23件)：

2G040AA05 ,  2G040AB05 ,  2G040AB08 ,  2G040AB12 ,  2G040BA18 ,  2G040BA25 ,  2G040CA12 ,  2G040CA22 ,  2G040CA23 ,  2G040DA06 ,  2G040EC01 ,  2G040HA02 ,  2G086EE12 ,  5C012AA05 ,  5C012BE01 ,  5C012BE03 ,  5G435AA17 ,  5G435BB01 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435EE40 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ液晶基板検査方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-184963   出願人：株式会社日立製作所