レーザアニール装置及び多結晶半導体膜の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155892
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354463
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】レーザーのラインビームを複数回走査して大面積基板上の非晶質半導体膜をレーザアニールする時に、大面積基板上のパネル基板内にラインビームの重なり領域が生じるのを防止し、大面積基板上の非晶質半導体膜全面を均質に多結晶化して、液晶表示素子の表示品位向上及び生産歩留まりの向上を図る。【解決手段】エキシマレーザアニール装置18の、集光レンズ26からステージ24に達する間にスリット装置27を設け、大面積基板10に照射されるラインビーム22の長さをパネル基板16の整数倍に成るよう調整した後大面積基板10を複数回走査する事により、パネル基板16内にラインビーム22の重なり領域を生じる事無く非晶質半導体膜14全面を均質に結晶化する。

請求項（抜粋）：

レーザ光を発振する発振手段と、前記レーザ光をライン状のビームに整形するビーム整形手段と、前記整形されたライン状のビームの長さを調整する調整手段とを有する事を特徴とするレーザアニール装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

レーザー光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076813 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-282869

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