特許
J-GLOBAL ID：200903084960150486
直流プラズマ成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341253
公開番号（公開出願番号）：特開2008-150682
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】電界電子放出源として膜厚均一かつ高品質な膜質を持つ性能に優れた炭素膜を成膜することができる直流プラズマ成膜装置を提供すること。【解決手段】真空成膜室10の内部に陰極12と陽極14とをその両電極面を対向させて配置し、陰極12を絶縁膜18で周囲が被覆された冷却板16上に搭載し、陰極12をモリブデン材で構成すると共に冷却板16と陰極12との間に両面が一対のモリブデン材36,38で挟まれた触媒金属材40を配置した直流プラズマ成膜装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空成膜室の内部に陰極と陽極とをその両電極面を平行に対向して配置し、陰極を少なくともその陰極側表面が絶縁膜で被覆された冷却板上に搭載した直流プラズマ成膜装置において、上記陰極の少なくともその電極面をモリブデン材で構成するかまたは該陰極の少なくともその電極面にモリブデン材を被着すると共に上記陰極の近傍に触媒金属材を配置し、その触媒金属材の少なくともその一部が真空成膜室内に露出している、ことを特徴とする直流プラズマ成膜装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
4G146AA01
, 4G146AB06
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146DA16
, 4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030DA02
, 4K030FA03
, 4K030JA09
, 4K030KA15
, 4K030KA26
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 4K030KA47
