特許
J-GLOBAL ID:200903085014152246

ガス放電パネルとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中島 司朗 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-253570
公開番号(公開出願番号):特開2001-076629
出願日: 1999年09月07日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 従来より低い駆動電圧で駆動でき、かつ発光効率の優れたガス放電パネルとその製造方法を提供する。【解決手段】 負のバイアス電圧をフロントパネル20に印加しつつ、プラズマCVD法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち1種類以上よりなる保護層242を作製し、当該保護層242の結晶構造中に2個の自由電子がトラップされた酸素欠陥(F中心)を形成する。
請求項(抜粋):
第一の電極と誘電体層が表面にその順に形成された第一のプレートと、第二のプレートが、前記誘電体層と対向するように配設されたガス放電パネルであって、前記誘電体層は、少なくとも第二のプレートに対向する表面が金属酸化物より構成され、かつ当該金属酸化物の結晶構造中には2個の自由電子がトラップされた酸素欠陥が含まれていることを特徴とするガス放電パネル。
IPC (2件):
H01J 11/02 ,  H01J 9/02
FI (2件):
H01J 11/02 B ,  H01J 9/02 F
Fターム (9件):
5C027AA10 ,  5C040GA02 ,  5C040GD07 ,  5C040GD09 ,  5C040GE07 ,  5C040GE09 ,  5C040JA07 ,  5C040KA20 ,  5C040MA12
引用特許:
審査官引用 (1件)

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