特許
J-GLOBAL ID：200903085023025192
プログラミング方法、相変化メモリ装置、及び、相変化メモリ書込み動作の駆動回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-179480
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004614
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】電流を制御するために測定を利用する相変化メモリ装置駆動回路及び測定を利用して相変化メモリ装置の駆動電流を調節する方法を提供する。【解決手段】相変化メモリ装置をプログラミングする方法において、相変化メモリ装置のプログラミング中に相変化物質の抵抗値を測定し、測定された抵抗値に応答して、相変化メモリ装置の相変化物質に供給する電流の大きさを調節する工程を含む相変化メモリ装置のプログラミング方法である。これにより、検出された電圧または電流に応答して、次のような調節を行える。相変化物質に印加される電流の大きさは、検出される電圧のレベルが基準電圧値に対して変化するまで増加し、検出される電圧のレベルが基準電圧値に対して変化すれば、一定の大きさに維持させることができる。基準電圧値に対する検出された電圧の変化は、検出された電圧レベルが基準電圧値以下に低下する場合でありうる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
相変化メモリ装置をプログラミングする方法において、
前記相変化メモリ装置のプログラミング中に相変化物質の抵抗値を測定し、前記測定された抵抗値に応答して、前記相変化メモリ装置の前記相変化物質に供給する電流の大きさを調節する工程を含むことを特徴とする相変化メモリ装置のプログラミング方法。
IPC (3件)：
G11C 13/00
, H01L 27/105
, H01L 45/00
G11C13/00 A
, H01L27/10 448
, H01L45/00 A
