特許

J-GLOBAL ID：200903085059742818

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小野 敦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291261
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108285
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】湿気の籠もりにくい中空構造内に半導体素子を内包した、ウエハレベルのチップ・スケール・パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1と、前記半導体基板の一方主面の素子領域22に設けられた半導体素子21と、前記一方主面に設けられ、前記素子領域を取り囲む封止部材4と、前記素子領域との間に中空7が形成されるようにして、前記封止部材を介して前記半導体基板に貼り合わされた光透過性部材2とを備えた半導体装置であって、前記光透過性部材に、当該光透過性部材の主面を貫通する貫通孔3が設けられ、前記貫通孔の内側開口が、前記中空に開口している半導体装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の一方主面の素子領域に設けられた半導体素子と、 前記一方主面に設けられ、前記素子領域を取り囲む封止部材と、 前記素子領域との間に中空が形成されるようにして、前記封止部材を介して前記半導体 基板に貼り合わされた光透過性部材と を備えた半導体装置であって、 前記光透過性部材に、当該光透過性部材の主面を貫通する貫通孔が設けられ、 前記貫通孔の内側開口が、前記中空に開口している ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 23/02 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L23/02 F ,  H04N5/335 V

Fターム (18件)：

4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA01 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA30 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024EX23 ,  5C024EX24 ,  5C024EX25 ,  5C024EX43

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光素子及びその製造方法並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-165017   出願人：セイコーエプソン株式会社