特許

J-GLOBAL ID：200903085078186683

メモリデバイス及びこのデバイスの使用方法ないし製造方法

発明者： チダ ラン ,  マイケル エイ. バン ブスカーク ,  コリン エス. ビル
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 鈴木 正剛 ,  佐野 良太 ,  村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-518620
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519220
出願日： 2004年05月21日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

2つの電極(106、206、108、204)間に制御可能な導電媒体(110)を備える2つの電極で作られるメモリセル(104)を開示する。制御可能な導電媒体(110)は、活性低導電層(112)及び受動層(114)を備える。制御可能な導電媒体(110)は、電界の印加のような外部刺激が供給されると、インピーダンスか変わる。メモリデバイス/セルの作製方法、メモリデバイス/セルの使用方法、及び、メモリテバイス/セルを含むコンピュータのようなテバイスの使用方法も開示する。

請求項（抜粋）：

第1電極(106、202)、 第2電極(108、204)、及び、 前記第1電極及び第2電極間に制御可能な導電性媒体(110)を有し、 前記制御可能な導電性媒体は、共役有機ポリマー、共役有機金属化合物、共役有機金属ポリマー、バッキーボール、カーボンナノチューブ、低導電性カルコゲニド、及び遷移金属酸化物のうちの少なくとも1つを有する低導電層(112)、及び、導電促進層を含む受動層(114)、を備える、メモリセル(104)。

IPC (4件)：

H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/10 ,  H01L 51/30

FI (6件)：

H01L27/10 449 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 250F ,  H01L29/28 250G

Fターム (14件)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA29 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化学反応を利用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180927   出願人：矢野誠
• 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-362948   出願人：株式会社リコー
• 可変抵抗材料セルの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-577339   出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド