特許
J-GLOBAL ID：200903087866470409
可変抵抗材料セルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
杉村 興作
, 高見 和明
, 徳永 博
, 岩佐 義幸
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
, 冨田 和幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-577339
公開番号（公開出願番号）：特表2005-521245
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
本発明は、データ保持特性の改善及び高い切替速度を有するメモリセル(400)や可変抵抗材料を製造するための方法及び装置に関する。本発明の実施の形態によるメモリセル(400)では、セレン化ゲルマニウム(GeXSe(1-x))のようなセレン化銀(406)とカルコゲニド・ガラス(404)とが、アクティブ層に混合されて、電極(402,410)間に加えられた電位の存在によって、導電性経路の形成を維持する。本発明の実施の形態は、セレン化銀層(406)及びガラス層(404)の厚さに対して比較的広範で、有利に構成することができる。
請求項（抜粋）：
メモリセルであって、
基板本体上に堆積された第1電極と、
前記第1電極とともに前記メモリセルにアクセスする第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、メモリセル本体の第1部分を形成する銀カルコゲニドの第1層と、
前記メモリセル本体の第2部分を形成し、前記第1電極と前記第2電極との間に配置されたカルコゲニド・ガラスの第2層とを具え、前記カルコゲニド・ガラスによって、前記第1電極と前記第2電極との間に加えられた電位に応答して前記第1電極と前記第2電極との間に導電性経路を形成できるようにしたことを特徴とするメモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR22
