特許
J-GLOBAL ID：200903085084131688

熱電変換素子の製造方法

発明者：
渡辺 日出男

渡辺 日出男 について

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都能 克博

都能 克博 について

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酒井 一成

酒井 一成 について


出願人/特許権者：
株式会社サーモボニック

株式会社サーモボニック について


代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159412
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008364
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 生産性に優れた熱電変換素子の製造方法を提供する。【構成】 多数並設されたP型半導体層18ならびにN型半導体層19と、それら半導体層18、19の吸熱側に配置された吸熱側電極20と、前記半導体層18、19の放熱側に配置された放熱側電極21とを備えた熱電変換素子において、前記半導体層18,19の原料粉末を、筒状の焼結用治具2とその焼結用治具2の中空部に挿入された上下パンチ4,5との間に導電性のセパレータ17を介して複数層に充填して、加圧するとともに上下パンチ4,5の間にパルス電圧を印加して前記材料粉末を放電焼結して前記半導体層18,19を得ることを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
多数並設されたP型半導体層ならびにN型半導体層と、それら半導体層の吸熱側に配置された吸熱側電極と、前記半導体層の放熱側に配置された放熱側電極とを備えた熱電変換素子の製造方法において、前記半導体層の原料粉末を、焼結用治具とその焼結用治具の中空部に挿入された上下パンチとの間にセパレータを介して複数層に充填して、加圧するとともに上下パンチの間にパルス電圧を印加して前記材料粉末を放電焼結して前記半導体層を得ることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 35/34 ,  H01L 35/32
FI (2件)：
H01L 35/34 ,  H01L 35/32 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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