特許
J-GLOBAL ID：200903085102651082

SiC系化合物のCMP用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法

発明者：
南幅 学

南幅 学 について

, 
倉嶋 延行

倉嶋 延行 について

, 
矢野 博之

矢野 博之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398479
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197574
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 SiC系化合物を容易に研磨により除去することを可能とする、SiC系化合物膜のCMP用研磨スラリーを提供すること。【解決手段】 5〜30nmの1次粒子径を有するコロイダルシリカおよび有機酸を含み、前記有機酸は、ベンゼン環を有するアミノ酸、またはヘテロ環を有する有機酸であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
5〜30nmの1次粒子径を有するコロイダルシリカおよび有機酸を含み、前記有機酸は、ベンゼン環を有するアミノ酸、およびヘテロ環を有する有機酸からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする、SiC系化合物のCMP用研磨スラリー。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z
Fターム (4件)：
3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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