特許

J-GLOBAL ID：200903056867103270

化学機械研磨用スラリおよび半導体装置の製造方法

発明者： 南幅 学 ,  倉嶋 延行 ,  矢野 博之 ,  川橋 信夫 ,  服部 雅幸 ,  西元 和男
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250570
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141314
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 導電性材料膜のCMP処理に際し、低エロージョンおよび低スクラッチ化を図ることが可能なCMP用スラリを提供する。【解決手段】 一次粒子径が5〜30nmで、会合度が5以下のコロイダル粒子からなる研磨粒子を含むCMP用スラリ。

請求項（抜粋）：

一次粒子径が5〜30nmで、会合度が5以下のコロイダル粒子からなる研磨粒子を含むことを特徴とする化学機械研磨用スラリ。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/3205

FI (8件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R

Fターム (37件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-300324   出願人：スピードファム株式会社
• 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238767   出願人：株式会社東芝, 多摩化学工業株式会社