特許
J-GLOBAL ID：200903085112239007

半導体素子及びその作製方法、並びに液晶表示装置及びその作製方法

発明者：
神野 洋平

神野 洋平 について

, 
藤井 厳

藤井 厳 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-328382
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167228
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】TFTを逆スタガ構造とする場合には、半導体膜及びn型の不純物元素を含む半導体膜を基板全面に形成した後、レジストマスク等を用いてエッチングを行うことにより、島状の半導体領域を形成し、さらに、メタルマスク等を用いてn型の不純物元素を含む半導体膜を分離し、ソース領域及びドレイン領域を形成していた。このように、島状の半導体領域を形成する際には、レジストマスクを露光、現像工程や液滴吐出工程を経て形成する必要があり、工程数、材料の種類の増加を招いていた。【解決手段】 本発明は、ソース領域及びドレイン領域を形成した後に、チャネル領域となる部分をチャネル保護膜として機能する絶縁膜で覆い、島状半導体膜を形成しているため、レジストマスクを設ける必要がなく、メタルマスクのみで半導体素子を作製することができるため、工程を簡略化することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたチタン又は酸化チタンを含む層と、 前記層上に形成されたゲート電極層と、 前記ゲート電極層上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、 前記半導体膜上に形成された一対のn型不純物領域と、 前記一対のn型不純物領域の間に形成され、かつ前記半導体膜上に形成された絶縁膜と、 前記一対のn型不純物領域上に形成された導電層と、 を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (6件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (7件)：
H01L29/78 627C ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/88 B
Fターム (144件)：
2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA40 ,  2H092JB57 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA24 ,  2H092KB13 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD21 ,  4M104DD24 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD77 ,  4M104DD78 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  5F033GG03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HL14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件)

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