特許

J-GLOBAL ID：200903085122892078

薄膜形成方法

発明者： 佐々木 圭一 ,  國島 巌
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062846
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260306
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 ハロゲンを含まないWSiNあるいはTaSiNの薄膜をCVD法を用いて形成する。【解決手段】 原料ガスとして、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンハイドライドとNH3 とSH6 と用いて、減圧熱CVD法によってWSiN膜39を形成し、更に、連続的にCVD法を用いてCu膜40を形成した。本発明の薄膜形成方法は、原料ガスとして、W(あるいはTa)を含む有機金属ガスを使用しているので、ハロゲン不純物の混入のない薄膜が形成される。この様にして形成されたWSiNあるいはTaSiNなどの薄膜を、W、Cuなどの金属配線用の金属接着層あるいはバリアメタルとして使用することによって、信頼性の高い高融点金属配線または低抵抗金属配線を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

タングステンあるいはタンタルを含む有機金属ガス、及び窒化ガスの混合ガスを用いて、パターニングされた被処理基板上に、気相成長法により窒化タングステンあるいは窒化タンタルの薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (2件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-008959   出願人：株式会社日立製作所