特許
J-GLOBAL ID：200903085141755960
ECRプラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201689
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053172
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】ECRプラズマを用いたエッチング装置において、均一に高周波バイアスを印加し、イオンエネルギーを均一に制御することによって基板内のエッチング速度を均一化する。【構成】高周波を印加する基板設置電極10に対して平行で、かつ磁力線13に対して垂直な方向に側壁を有する接地電極構造のプラズマ発生室1を配置し、少なくとも前記側壁を絶縁材16で被覆した構造を有する。
請求項（抜粋）：
プラズマ発生室内でマイクロ波により発生する電場とこの電場に直交する磁場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマを磁力線に垂直に設置された基板に照射しエッチング処理を行うECRプラズマ処理装置において、基板設置電極に高周波バイアスを印加してプラズマ中のイオンエネルギーをコントロールする場合に、磁力線に対して垂直な方向に側壁を有する接地された電極構造のプラズマ発生室を設け、少なくとも前記側壁には磁力線に平行な方向に絶縁材層が形成されていることを特徴とするECRプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
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