半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257249
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107230
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】超微細化が容易で正常動作範囲が広い埋込拡散層をビット線とする不揮発性半導体記憶装置の構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】一導電型のシリコン基板表面に形成された逆導電型の短冊状拡散層をビット線またはソース線としメモりセルに浮遊ゲート型トランジスタ有する不揮発性半導体記憶装置であって、互いに隣り合うビット線間あるいは互いに隣り合うビット線とソース線間にセルフアラインに短冊状溝が形成され、前記短冊状溝上に第1のゲート絶縁膜を介して浮遊ゲート電極が形成され、前記浮遊ゲート電極上に第2のゲート絶縁膜を介してワード線となる制御ゲート電極が形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に形成された短冊状の拡散層をビット線またはソース線としメモりセルに浮遊ゲート型トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置であって、互いに隣り合う前記ビット線間あるいは互いに隣り合う前記ビット線と前記ソース線間に前記シリコン基板表面に掘られた短冊状溝が形成され、前記短冊状溝上に第1のゲート絶縁膜を介して浮遊ゲート電極が形成され、前記浮遊ゲート電極上に第2のゲート絶縁膜を介してワード線となる制御ゲート電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-001574
特開平4-218975
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-070411 出願人：日本電気株式会社

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