特許
J-GLOBAL ID：200903085161457958
ポジ型レジスト組成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-281545
公開番号（公開出願番号）：特開2004-117883
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術における課題を達成すべく、現像欠陥、特にラインパターン及びトレンチパターン形成におけるブリッジングを低減した遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)末端に特定の基を有する繰り返し単位、脂環構造で保護された酸分解性基を有する繰り返し単位、及び、水酸基が置換した脂環構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位、下記一般式(A2)で表される繰り返し単位、及び下記一般式(A3)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025FA17
