特許

J-GLOBAL ID：200903085185298648

光デバイスの製造方法及び実装構造

発明者： 水田 聡 ,  西本 裕
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021772
公開番号（公開出願番号）：特開平9-197178
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】光導波路を形成した基板への溝を光導波路形成プロセスの方法如何に依らずに確実に形成し、この溝を使った光ファイバの実装や光ファイバガイド溝付き基板の位置決めガイドピン等の実装を高精度に行うことを可能とする光デバイスの製造方法の提供。【解決手段】ドライエッチングに対する耐久性を有する材料からなる第1の層を基板の溝形成エッチング用マスクの形にパターン形成し、この第1の層をマスクにしたエッチングで、基板の溝形成エッチャントに対する耐久性を有する材料からなる第2の層も前記マスクの形にパターン形成し、これを溝形成エッチングのマスクに用いて基板に溝を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に光導波路回路が形成され、前記基板上の光素子及び光ファイバが光学的に結合するように配置される光デバイスの製造方法において、(a)ドライエッチングに対する耐久性を有する材料からなる第1の層を基板の溝形成エッチング用マスクの形にパターン化する工程と、(b)前記パターン化された第1の層をマスクとするエッチングにより、基板の溝形成エッチャントに対する耐久性を有する材料からなる第2の層を基板の溝形成エッチング用マスクの形にパターン化する工程と、(c)前記パターン化された第2の層をマスクとして前記基板をエッチングすることにより、前記溝を形成する工程と、を含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/30 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02B 6/30 ,  G02B 6/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136351   出願人：日本電気株式会社