特許
J-GLOBAL ID：200903085194426829
エピタキシャル膜用アルミナ基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-159304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-359495
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】エピタキシャル膜を形成する下地として適した多結晶アルミナを提供する。【解決手段】エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なエピタキシャル膜用アルミナ基板1を提供する。基板1のX線回折測定による全軸配向度が50%以上である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なアルミナ基板であって、
前記基板の全軸配向度が50%以上であることを特徴とする、アルミナ基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
4G030AA07
, 4G030AA36
, 4G030BA01
, 4G030CA02
