特許
J-GLOBAL ID:200903085202197915
熱電変換温度センサおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
三好 秀和
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-068764
公開番号(公開出願番号):特開2009-224634
出願日: 2008年03月18日
公開日(公表日): 2009年10月01日
要約:
【課題】温度の検出に適した起電力が得られる熱電変換半導体を使用した熱電変換温度センサを提供する。【解決手段】P型熱電変換半導体1とN型熱電変換半導体2の接合面8の面積(第1面積)に対して、それに続くN型熱電変換半導体2とP型熱電変換半導体3の接合面9の面積(第2面積)を小さくすることで、外側にあるP型熱電変換半導体1から内部にあるP型熱電変換半導体3への熱の伝導が早くすることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1面積の第1面および第2面を有する第1導電型の第1熱電変換半導体と、
前記第2面と接する前記第1面積の第3面および前記第1面積より小さな第2面積の第4面を有する第2導電型の第2熱電変換半導体と、
前記第4面と接する前記第2面積の第5面および前記第1面積の第6面を有する第1導電型の第3熱電変換半導体と、
前記第6面と接する前記第1面積の第7面および前記第1面積の第8面を有する第2導電型の第4熱電変換半導体と、
を備え、上記各半導体が異なる導電型の順に連続して接合されていることを特徴とする熱電変換温度センサ。
IPC (3件):
H01L 35/32
, H01L 35/34
, G01K 7/01
FI (3件):
H01L35/32 A
, H01L35/34
, G01K7/00 391Z
引用特許:
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