特許

J-GLOBAL ID：200903096479508286

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 山田 孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073452
公開番号（公開出願番号）：特開平7-281952
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【構成】 複数のメモリブロックに分けた電気的一括消去電気的書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、消去と書き込みと読み出しのうち2機能以上を同時に、別々のメモリブロックにおいて実行できるように、命令解析及びステータスデータ生成部6と前記メモリブロック10a〜10hを接続するバス9、12に、前記メモリブロックの動作状態を保持するラッチ回路11a〜11hを挿入した。【効果】 製造側では、メモリICの良品/不良品を判別するテスト時間の短縮が可能である。ユーザ側では、大容量メモリICを使う場合、実装チップ数が少くても、ライト、イレース、リードの同時動作可能なシステムを容易に作ることができる。また、同時動作可能ならシステム全体のスピード(スループット)が向上する。

請求項（抜粋）：

複数のメモリブロックに分けた電気的一括消去電気的書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、消去と書き込みと読み出しのうち2機能以上を同時に、別々のメモリブロックにおいて実行する消去書き込み読み出し制御部を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G06F 12/06 525 ,  G11C 16/06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-246997
  
• 特開昭63-048688
  
• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218508   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-246997