特許

J-GLOBAL ID：200903085307001552

ダイヤモンド様炭素(DLC)膜の製法、それにより製造したDLC膜、その使用法、電界エミッタアレイ及び電界エミッタカソード

発明者： ザング,ジン ,  パク,キュ チャング
出願人/特許権者： オリオン エレクトリック カンパニー,リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-517237
公開番号（公開出願番号）：特表平10-500936
出願日： 1996年11月02日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】本発明は、水素を実質的に含有しないDLC層を形成する方法であって、約1〜100nmの厚さのDLC層を試料基体又は電界エミッタの全面に付着し、次いで、フッ素ガスからなるエッチングプラズマへさらし、しかも、後者の工程の間、前記基体中に含有される水素はフッ素との化学的エッチング反応によって除去され、しかも、水素を含有しないDLC層を形成する工程を繰り返し、所定の厚さのDLC膜を得ることのできる、上記方法に関する。

請求項（抜粋）：

基体上にDLC膜を形成する方法であって、 (1)前記基体上に所定の厚さを有するDLC層を成長させる工程と、 (2)前記DLC層が成長した後、前記DLC層の表面をエッチングプラズマへ暴露する工程とから成る、上記方法。

IPC (6件)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  C23C 16/26 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (8件)：

C30B 29/04 A ,  C01B 31/06 Z ,  C23C 16/26 ,  C23F 4/00 E ,  C30B 29/04 V ,  C30B 29/04 X ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 成形体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-138471   出願人：積水化学工業株式会社