特許
J-GLOBAL ID：200903085330684110
多重量子井戸半導体素子
出願人/特許権者：
アンリツ株式会社
アンリツ株式会社 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176363
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368342
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 各量子井戸へのホールおよび電子注入の不均一が抑制された多重量子井戸半導体素子を提供する。【解決手段】 多重量子井戸半導体素子の量子井戸層をn型導伝性とする物質を不純物として量子井戸層のみ、もしくは、主に量子井戸層にドーピングする。
請求項（抜粋）：
第1の導伝性を有する半導体基板上に第1の導伝性を有する半導体クラッド層、半導体よりなる活性層、第2の導伝性を有する半導体クラッド層および第2の導伝性を有する半導体よりなるコンタクト層が順次積層され、かつ、前記半導体基板表面および前記コンタクト層表面に、それぞれ電極が形成されて成るダブルヘテロ構造における、前記活性層が、前記第1の導伝性を有するクラッド層に接して形成された、該第1の導伝性を有するクラッド層よりバンドギャップの小さい半導体よりなる分離閉じ込め層と、前記第2の導伝性を有するクラッド層に接して形成された、該第2の導伝性を有するクラッド層よりバンドギャップの小さい半導体よりなる分離閉じ込め層との間に、量子井戸層と障壁層が交互に積層され、かつ、該量子井戸層が2層以上である層構成から成る多重量子井戸半導体素子において、前記量子井戸層を n型導伝性とする物質を不純物として前記量子井戸層のみ、もしくは、主に前記量子井戸層にドーピングすることを特徴とする多重量子井戸半導体素子。
Fターム (10件)：
5F073AA22
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA11
, 5F073EA15
, 5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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